В работе приводятся результаты исследования влияния степени предварительной деформации, температуры закалки и скорости нагрева на количество аустенита, характеристики тонкой структуры (уширение передней и задней интерференционной линии, отвечающих соответственно за дисперсность зон когерентного рассеяния и степень искаженное кристаллической решетки, а также некоторые механические свойства при испытании на сжатие степень деформации до разрушения, твердость, стали находятся как в а-, так и в у — состоянии. Изучались также изменения температурных границ первичной рекристаллизации в зависимости от степени предварительной деформации.
Влияние «холодной» деформации на исследуемые характеристики. Увеличение степени деформации приводит к уменьшению количества остаточного аустенита и образованию деформационного мартенсита. При степенях деформации выше 40-60% остаточный аустенит рентгеновским методом не обнаруживается. Значения характеристик тонкой структуры по мере увеличения степени деформации однозначно возрастают. Наибольшее влияние на них оказывает изменение сравнительно небольших деформаций — до 20%. Качественно аналогично параметрам тонкой структуры и количеству остаточного аустенита изменяются твердость и предел текучести. Наиболее интенсивный прирост предела прочности наблюдается в интервале степеней деформации 10- 60%. .
Температура начала и конца первичной рекристаллизации, наблюдающейся во всем температурном интервале (850- 1100 °С), зависит от степени предварительной деформации и по мере увеличения последней смещается в более низкую температурную область. Температурная зона первичной рекристаллизации стали при всех степенях деформации для нагрева ТВЧ выше, чем для нагрева в печи. ПТМО с нагревом ТВЧ для приведенных режимов сопровождается в основном неполной рекристаллизацией. Лишь для температур нагрева до 900 °С и сравнительно малых степеней деформации имеет место упрочненная, а при степени деформации 100% и температуре 1100 °С — полностью рекристаллизованная структура. ПТМО с применением печного нагрева приводит к образованию как полностью, так и структур.
