Исследование с помощью электронномикроскопического метода структуры вольфрамового волокна не всегда представляется возможным. Для длины волны электронов, ускоряемых 100 кв (, = 0,0037 А), переход к динамическому рассеянию в вольфраме осуществляется при очень малой эффективной толщине кристалла, определяемой атомным фактором рассеяния. Однако в некоторых случаях удается получить микродифракцию от вольфрамового волокна и наблюдать его дислокационную структуру. Картина микродифракции от разных участков волокна не изменяется, что свидетельствует о его монокристальности.
Присутствие на рентгенограммах эвтектики почти всех разрешенных интерференции вольфрама можно объяснить различной ориентировкой каждого из волокон в сечении слитка. Для более точного анализа структуры волокон и кристаллической связи их с матрицей необходимо либо усовершенствование методики приготовления фольг, либо применение высоковольтной электронной микроскопии.
Структура избыточной фазы, присутствующей в матрице при всех режимах кристаллизации, может быть определена с помощью метода микродифракции. Проведено сравнение измеренных по микроэлектронограммам межплоскостных расстояний с приведенными в, при этом рефлексы никеля служили реперными точками при определении масштаба микроэлектронограммы 2Ь%. Методом проб и ошибок с учетом межплоскостных расстояний и требования взаимного согласования индексов проиндицированы рефлексы картин микродифракции. Определены также индексы отражающих плоскостей матрицы и фазы. Получены следующие соотношения между одновременно отражающими плоскостями твердого раствора и избыточной фазы и/ЪЩ:
Выделения фазы грубодисперсны, а распределение их в матрице литого сплава крайне неравномерно.
Повышение дисперсности избыточной фазы, определяющей прочностные характеристики матрицы, и выравнивание структуры последней могут быть достигнуты термической обработкой сплава, включающей закалку и последующее старение.